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CVD技术制备Ta/W层状复合材料

祁小红 , 郑旭 , 蔡宏中 , 刘少鹏 , 胡昌义 , 魏燕

航空材料学报 doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2016.000019

运用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)技术制备了W体积分数分别10%,13%和18%的Ta/W两层层状复合材料,采用金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和室温拉伸实验对复合材料的性能进行分析.结果表明:运用CVD技术可以制备W体积分数不同,且密度优于理论密度99.4%的层状复合材料;复合材料中Ta,W层的晶粒均为柱状晶粒,离界面越近,晶粒越细;沉积态复合材料的力学性能优于纯CVD Ta和CVD W;1600 ℃×2 h的热处理后,复合材料的界面扩散层宽度显著增大,力学性能高于沉积态的力学性能,最高抗拉强度可达660 MPa.

关键词: 化学气相沉积(CVD) , Ta/W层状复合材料 , W体积分数 , 力学性能

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